MOSFET的工作原理
為了使N溝道MOSFET裸片工作，需要在G和S之間加 個正電壓VGS，在D和S之間加 個正電壓VDS，以產生正向工作電流ID。工作電流ID可以通過改變VGS的電壓來控制。如果不 接VGS（即VGS=0），則在D、S電 之間加 個正電壓VDS，漏 D和襯底部之間的pN結方向反了，所以漏源不能通電。如果在柵 G和源 S之間加 個電壓VGS。此時柵 和襯底部可以看成器件的兩塊 板，以氧化 緣層作為電容的介質。添加VGS后，在 緣層與柵 的界面上感應出正電荷，而在 緣層與p型襯底部的界面上感應出負電荷。該層感應出的負電荷與p型底部中的多數載流子（空穴）的 性相反，故稱為“反型層”。該反型層可以連接漏 和源 的兩個N型區。連接形成導電通道。當VGS電壓過低時，感應出的負電荷較少，會被p型襯底中的空穴中和，因此此時漏 和源 之間仍然沒有電流ID。當VGS增加到 定值時，感應的負電荷連通兩個分開的N區，形成N溝道。這個臨界電壓稱為開啟電壓（或閾值電壓，thresholdvoltage），用符號VT表示（ 般規定ID=10uA時的VGS為VT）。當VGS繼續增.大時，負電荷增.大，導電溝道擴大縮小，ID也增.大，呈較好的線性關系，這條曲線稱為傳遞特性。因此，在 定范圍內，可以認為通過改變VGS來控制漏源 間的電阻，達到控制ID的效果。由于這種結構在VGS=0時ID=0，所以這種MOSFET裸片被稱為增.強型。另 種MOSFET裸片在VGS=0時也有 定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。Vp為夾斷電壓（ID=0）。耗盡型和增.強型的主要區別在于SiO2 緣層中存在大量的正離子，從而在p型襯底部的界面處感應出更多的負電荷，即p型硅在兩個N型區域的中間。內部形成N型硅薄層形成導電溝道，所以當VGS=0時，VDS作用時有 定的ID（IDSS）；當VGS有電壓（可以是正電壓或負電壓）時，改變感應負電荷的數量，從而改變ID的大小。ID=0時Vp為-VGS，稱為夾斷電壓。

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N溝道500-800V系列SJ-III MOSFET產品封裝范圍包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。



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